808nm高功率半導(dǎo)體激光器芯片取得顯著進(jìn)展

西安立芯光電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“立芯光電”）研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過持續(xù)地技術(shù)攻關(guān)，在808nm高功率半導(dǎo)體激光器芯片上取得顯著進(jìn)展。

808nm半導(dǎo)體激光器作為理想的、高效率的固體激光器泵浦源，在先進(jìn)制造、機(jī)械加工、醫(yī)療美容、激光顯示、科研與航空航天等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。隨著市場(chǎng)對(duì)高效能激光解決方案的需求不斷上升，高功率、高效率的激光芯片已成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素。公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過對(duì)結(jié)構(gòu)升級(jí)及外延技術(shù)優(yōu)化，提高了808nm高功率半導(dǎo)體激光器芯片的斜率效率、高溫特性及輸出功率等性能；通過優(yōu)化腔面鍍膜技術(shù)，芯片腔面的損傷閾值COMD得到提高，從而使芯片的可靠性得到大幅提升。

測(cè)試結(jié)果表明，立芯光電封裝的高功率808nm COS激光芯片，在QCW 86A下，輸出功率高達(dá)81W，最大光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）達(dá)到57%，這體現(xiàn)出該產(chǎn)品具有優(yōu)良的高溫特性，高損傷閾值和高可靠性。

這一創(chuàng)新成果的實(shí)現(xiàn)，凸顯了立芯光電在高功率半導(dǎo)體激光器芯片領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累和卓越的創(chuàng)新實(shí)力。它不僅增強(qiáng)了公司在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)地位，而且促進(jìn)了采用此類高功率激光芯片作為泵浦源的固體激光器技術(shù)的進(jìn)步。