三星繼續(xù)緊咬臺(tái)積電，德州泰勒廠制程提升至2納米
韓國(guó)媒體Etnews報(bào)道稱，三星電子正考慮將其美國(guó)德州泰勒市晶圓代工廠的芯片制程，從原計(jì)劃的4納米改為2納米，以在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)中與臺(tái)積電和英特爾抗衡。消息人士透露，三星有望在第三季度做出最終決定。
三星德州泰勒廠自2021年投資以來(lái)，2022年開(kāi)始興建，計(jì)劃于2024年底分階段運(yùn)營(yíng)。根據(jù)三星DS部門前負(fù)責(zé)人李鳳炫（Lee Bong-hyun）之前的說(shuō)法，到2024年底，該工廠將開(kāi)始出貨4納米產(chǎn)品。然而，面對(duì)市場(chǎng)需求的變化和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的步伐，三星決定重新評(píng)估其制程策略。
目前，英特爾計(jì)劃在亞利桑那州和俄亥俄州的工廠量產(chǎn)Intel 20A和18A制程芯片。與此同時(shí)，臺(tái)積電正在美國(guó)建設(shè)三座晶圓廠，計(jì)劃在2025年上半年投產(chǎn)4納米制程，2028年投產(chǎn)2納米和3納米制程，2030年投產(chǎn)2納米以下制程。相比之下，三星的進(jìn)度略顯落后。
為了應(yīng)對(duì)這種情況，三星希望通過(guò)提升德州泰勒廠的制程技術(shù)，增強(qiáng)其在美國(guó)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。據(jù)悉，4納米芯片需求趨緩也是促使三星考慮這一調(diào)整的原因之一。
三星在今年4月的第一季度業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上表示，將根據(jù)客戶訂單分階段啟動(dòng)德州泰勒廠的運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)在2026年實(shí)現(xiàn)首次量產(chǎn)。泰勒廠的建設(shè)使三星有望獲得美國(guó)政府64億美元的補(bǔ)助，預(yù)計(jì)到2030年總投資將超過(guò)400億美元。
三星希望通過(guò)提升制程技術(shù)，吸引更多高端客戶，包括位于美國(guó)的英偉達(dá)（Nvidia）、超微（AMD）和高通（Qualcomm）等大型芯片需求方。這一舉措有望顯著提升三星在高端芯片市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
雖然三星的這一戰(zhàn)略調(diào)整能否如愿提升市場(chǎng)占有率還有待觀察，但這一舉措無(wú)疑表明了三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新和積極競(jìng)爭(zhēng)的決心。德州泰勒廠的制程提升將為三星在未來(lái)的技術(shù)發(fā)展和市場(chǎng)擴(kuò)展中提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
