AI暖風將繼續(xù)吹拂存儲行業(yè)

在人工智能、高性能計算和數(shù)據(jù)中心等領域需求的推動下，2024年HBM（高帶寬內(nèi)存）市場仍然呈現(xiàn)顯著的增長態(tài)勢。而且，這一增長趨勢也帶動了NAND需求的增長。這些細分存儲品類的市場利好也將讓一眾存儲大廠獲益頗豐。

近日消息，三星三季度將把動態(tài)隨機存儲器 (DRAM) 和NAND的價格上調(diào)15-20%，預計三星電子下半年的業(yè)績也將有所改善。6月27日，美光科技也稱，2024-25年HBM內(nèi)存芯片已經(jīng)售罄，內(nèi)存芯片供不應求。

盡管各大存儲大廠計劃增加HBM產(chǎn)能以應對強勁的需求增長，但由于復雜的制造工藝，短期內(nèi)仍難以滿足市場需求。除了美光科技之外，SK海力士也曾被傳至2025年底之前的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄。而且，為了維持HBM市場壟斷地位，SK海力士還與臺積電聯(lián)盟，合作推進HBM4的研發(fā)，預計HBM4將于2026年開始量產(chǎn)。

由此可見，AI技術帶來存儲行業(yè)暖風還將持續(xù)一段時間，也將成為存儲行業(yè)未來上行周期的重要支撐。

AI需求持續(xù)旺盛

造成存儲芯片上漲行情的原因，無疑是生成式人工智能（AI）的火爆需求，特別是云端高性能AI芯片對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求旺盛。此外，AI服務器和移動應用程序的需求上升也進一步推動了HBM市場的增長。

根據(jù)TrendForce 數(shù)據(jù)及預測，2022-2024年HBM3需求占比分別為8%/39%/60%，HBM3憑借其卓越性能加持ASP顯著高于前序版本，或進一步推動HBM市場規(guī)模在2024年達到169億美元，同比增長288%。

高盛預計，全球HBM市場規(guī)模將在2023-2026年期間以約100%的復合年增長率增長，并在2026年達到300億美元。

瑞士銀行此前報告中也指出，2024和2025年的HBM需求分別上調(diào)1.9%、8.7%，而2025年HBM3E 12Hi 需求將占行業(yè)總需求58%，而英偉達將占2024、2025年HBM總消耗量的47%、43%。整體來說，HBM還將擠壓DDR供應，在明年第四季前促進DRAM迎上升周期。

當?shù)貢r間6月26日，存儲芯片大廠美光科技發(fā)布了截至5月30的2024財年第三財季財報。根據(jù)財報顯示，美光第三財季總營收為68.1億美元，較上年同期的37.5億美元同比增長81.6%，超過FactSet預期的66.7億美元。

從具體的業(yè)務來看，美光第三財季的DRAM收入環(huán)比增長13%，達到47億美元，符合市場預期；NAND Flash收入環(huán)比增長32%，達到了21億美元，高于FactSet預期的19億美元。

美光CEO Sanjay Mehrotra也表示，“在數(shù)據(jù)中心方面，快速增長的AI需求使我們的收入與上季相比增加超過50%。”

對于2025財年的預期，Mehrotra表示：“展望2025年，對AI個人電腦和AI手機的需求，以及數(shù)據(jù)中心AI的持續(xù)增長，為我們提供了有利的布局，讓我們有信心在2025財年實現(xiàn)大幅收入增長，且隨著我們持續(xù)轉(zhuǎn)向至高利潤產(chǎn)品組合，獲利能力顯著提升。”

HBM供需失衡

從供應端來看，目前多家存儲大廠如SK海力士和三星正在努力擴大HBM的產(chǎn)量，計劃將HBM產(chǎn)量提高至2.5倍。而美光科技也正在采取多種措施來應對2024-25年HBM內(nèi)存芯片的供需不平衡問題。首先，美光科技正在美國建設HBM測試產(chǎn)線與量產(chǎn)線，并首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，以增加生產(chǎn)能力。此外，美光科技計劃在2025年將HBM市占率提高兩倍以上，達到20%左右。

從需求端來看，英偉達計劃在2024年第四季度推出B100、B200和GB200等多款新產(chǎn)品，并將在未來幾年繼續(xù)推出更多高性能GPU，如Blackwell Ultra和Rubin GPU。這些新產(chǎn)品對高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求巨大，因為它們需要處理大量的數(shù)據(jù)和復雜的計算任務。

從技術層面來看，2024年，HBM技術迎來了新的突破，特別是HBM3和HBM3e的推出，這些新技術在AI服務器等應用場景中得到了廣泛應用，推動了市場需求的增長。然而，HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，雖打破了內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸，推動了GPU性能的提升，但HBM產(chǎn)品的復雜封裝堆棧也影響了良品率，進一步加劇了供不應求的局面。

因此，整體來看，HBM供求平衡短期內(nèi)仍難以實現(xiàn)。 

大摩此前就預計，內(nèi)存將迎來新一輪“超級周期”，內(nèi)存行業(yè)的定價權優(yōu)勢將進一步凸顯。AI快速發(fā)展將導致DRAM和HBM的供需失衡，預計2025年HBM的供應不足率為-11%，整個DRAM市場的供應不足率為-23%。特別是HBM的需求量將大幅增加，可能占總DRAM供應的30%。

有半導體行業(yè)人士透露，“客戶通常只提供下一季度的需求預測，但現(xiàn)在開始向半導體公司提供全年計劃，這表明他們非常重視確保供應。由于目前是賣方市場，最終談判價格可能超過15%的漲幅。”

AI行情蔓延至NAND

值得關注的是，存儲芯片的利好行情已經(jīng)從DRAM蔓延至NAND。據(jù)悉，三星電子和SK海力士已將NAND工廠的開工率由去年的20-30%升至70%以上。另一存儲大廠鎧俠則已將旗下兩座NAND閃存廠的產(chǎn)線開工率提升至100%，結(jié)束了自2022年10月起為期20個月的減產(chǎn)動作。

同時，三星電子也在第二季度已將企業(yè)級NAND閃存價格上調(diào)超過20%。隨著AI熱潮在下半年進一步推高服務器需求，存儲芯片價格有望繼續(xù)攀升。

市場研究機構(gòu)DRAM Exchange的數(shù)據(jù)顯示,今年第一季度全球企業(yè)級NAND閃存銷售額達到37.58億美元，環(huán)比增長62.9%。需求增長導致部分產(chǎn)品供應短缺，客戶爭相確保供應的意愿日益增強。

除了存儲原廠之外，半導體材料供應商也感受到了AI需求吹來的暖風，且步入了擴產(chǎn)的步伐。

根據(jù)韓國金融信息服務機構(gòu)FNGuide數(shù)據(jù)，Soulbrain、Wonik Materials、TEMC等韓國半導體材料供應商上調(diào)了收益預測。其中，Soulbrain預計第二季度營業(yè)利潤將同比增長22%，Wonik Materials和TEMC分別預測第二季度營業(yè)利潤與去年同期相比分別增長200%和40%。

當前，在服務器市場需求的支持下，存儲原廠正積極轉(zhuǎn)產(chǎn)至服務器eSSD、DDR5及HBM等高價產(chǎn)品。然而，除了AI概念相關存儲產(chǎn)品之外，其他類別的存儲芯片，特別是消費類市場需求仍然較弱，使得存儲市場整體缺乏量能支撐。

CFM閃存市場就指出，消費類市場復蘇不均，品牌銷量呈此消彼長，更關鍵的是終端普遍持有一定安全庫存作為緩沖。美光科技近日也提到了這一點，即工業(yè)和零售需求存在不確定性。