IRLML2030TRPBF-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/5.8A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/30mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款N溝道消費(fèi)級(jí)MOSFET采用SOT-23封裝，專為高效能、中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓30V，提供5.8A連續(xù)電流處理能力，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)和電池管理系統(tǒng)，具備低導(dǎo)通電阻及卓越的熱性能，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想功率管理組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRLML2030TRPBF-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/5.8A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/30mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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