HXY7N65D_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/7A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/1400mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用高效封裝TO-252-2L，具有卓越的650V工作電壓和7A連續(xù)電流承載能力。專為高耐壓、低損耗的電源轉(zhuǎn)換與開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)，以出色的穩(wěn)定性及能效表現(xiàn)，廣泛應(yīng)用于各類高品質(zhì)電子設(shè)備中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXY7N65D_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/7A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/1400mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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