HXY4N65D_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/4A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/2700mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，擁有卓越的650V高耐壓等級(jí)和4A電流承載能力。特別適用于對(duì)電壓穩(wěn)定性要求高的消費(fèi)電子開關(guān)應(yīng)用，有效提升系統(tǒng)效率，確保運(yùn)行安全可靠，是高壓環(huán)境設(shè)計(jì)的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國(guó)際大廈2013-2014

HXY4N65D_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/4A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/2700mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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