IRFR024N-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/100V 參數(shù)3：電流ID/20A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/87mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-252-2L封裝，具有100V高耐壓和高達(dá)20A連續(xù)電流處理能力，專為高性能電子設(shè)備設(shè)計(jì)，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合，提供高效能與穩(wěn)定的功率切換解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRFR024N-HXY_TO-252_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/100V 參數(shù)3：電流ID/20A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/87mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/100V 參數(shù)3：電流ID/20A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/87mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢