IPD060N03LG-HXY_TO-252_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/80A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/6.8mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

描述: 這款N溝道消費(fèi)級MOSFET采用TO-252-2L封裝，專為大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電壓30V，具備高達(dá)80A的連續(xù)電流處理能力，尤其適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)，具有卓越的導(dǎo)通性能和散熱效果，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效功率控制的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD060N03LG-HXY_TO-252_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/80A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/6.8mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/30V 參數(shù)3：電流ID/80A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/6.8mR 標(biāo)價：歡迎咨詢