UMH3N_SOT-363_數字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：數字晶體管最小包裝：3000圓盤參數1：晶體管類型: NPN+NPN 參數2：集射極擊穿電壓(Vceo): 50V 參數3：集電極電流(Ic): 100mA 參數4：功率(Pd): 150mW 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款數字晶體管采用先進的SOT-363封裝，內置一對互補NPN型晶體管。器件提供50V的集射極擊穿電壓（Vceo）及0.1A的最大集電極電流（Ic），功率耗散能力為150mW。其卓越的低飽和電壓特性，在5mA集電極電流和0.25mA基極電流時，VCE(sat)僅為300mV，同時擁有出色的直流電流增益，hFE在1mA/5V條件下范圍達100至600。此外，該晶體管具有高達250MHz的截止頻率(fT)，確保高速開關性能。適用于各類低功耗、高速數字電路設計，如邏輯門電路、信號放大器等應用場合，以其小巧體積與優越電氣性能滿足現代電子設備精細化需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

UMH3N_SOT-363_數字晶體管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：數字晶體管 最小包裝：3000圓盤 參數1：晶體管類型: NPN+NPN 參數2：集射極擊穿電壓(Vceo): 50V 參數3：集電極電流(Ic): 100mA 參數4：功率(Pd): 150mW 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：數字晶體管最小包裝：3000圓盤參數1：晶體管類型: NPN+NPN 參數2：集射極擊穿電壓(Vceo): 50V 參數3：集電極電流(Ic): 100mA 參數4：功率(Pd): 150mW 標價：歡迎咨詢