KBP307_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數3：平均整流電流(Io): 3A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 80A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

描述: 這款采用KBP封裝的高精度整流橋，專為800V電壓等級及中等電流應用設計。其具備出色的耐壓性能，在高達800V的反向電壓下保持穩定工作狀態。在3A的工作電流下，正向電壓降低至1.1V，實現高效能電力轉換與顯著節能效果。器件的最大連續輸出電流為3A，適用于各類電源適配器、中功率電機驅動及電子設備內部電路中的整流需求。選擇本款KBP封裝整流橋，將為您的系統帶來卓越的能效表現和穩定的運行能力。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

KBP307_KBP_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋 最小包裝：500盒 參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數3：平均整流電流(Io): 3A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 80A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：KBP 類別：整流橋最小包裝：500盒參數1：正向壓降(Vf): 1.1V@3A 參數2：直流反向耐壓(Vr): 800V 參數3：平均整流電流(Io): 3A 參數4：正向浪涌電流(Ifsm): 80A 標價：歡迎咨詢