MB6S_MBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBS 類別：整流橋最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1V@400mA 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 5uA@600V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款高品質(zhì)整流橋采用先進(jìn)的MBS封裝技術(shù)，專為高效能電子設(shè)備設(shè)計。其擁有卓越的電氣性能，額定反向電壓高達(dá)600V，確保在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。在400mA的工作電流下，正向電壓降僅為1V，有效降低了功耗，提升系統(tǒng)效率。此外，該器件提供出色的電流承載能力，最大輸出電流可達(dá)1A，是各類電源轉(zhuǎn)換、逆變器等應(yīng)用的理想選擇。通過選用此款整流橋，您的電路設(shè)計將實現(xiàn)更優(yōu)的性能表現(xiàn)和能源利用率。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

MB6S_MBS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBS 類別：整流橋 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1V@400mA 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 5uA@600V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：MBS 類別：整流橋最小包裝：3000圓盤參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1V@400mA 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 600V 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 5uA@600V 標(biāo)價：歡迎咨詢