12N65_TO-220F_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/12A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/800mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 該消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-220F封裝，具備650V高耐壓及12A大電流承載能力，專(zhuān)為高功率電子設(shè)備設(shè)計(jì)，應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)定可靠的功率管理方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

12N65_TO-220F_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/12A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/800mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/650V 參數(shù)3：電流ID/12A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/800mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢