HC2M0160120K_TO-247-4L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/1200V 參數(shù)3：電流ID/19A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/160mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款碳化硅工業(yè)級(jí)N溝道MOSFET采用TO-247-4L封裝，專為1200V高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。額定電流19A，適用于嚴(yán)苛環(huán)境下的電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及逆變系統(tǒng)，具備卓越的高溫穩(wěn)定性、低導(dǎo)通損耗和快速開(kāi)關(guān)特性，是現(xiàn)代高效能源管理與功率轉(zhuǎn)換的理想器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HC2M0160120K_TO-247-4L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30管 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/1200V 參數(shù)3：電流ID/19A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/160mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30管參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/1200V 參數(shù)3：電流ID/19A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/160mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢