DMN2016UTS_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/7.5A 參數4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

DMN2016UTS 是一款高速、低阻抗的NN溝道MOSFET，采用節省空間的TSSOP-8封裝，適合現代緊湊型電子設計。工作電壓高達20V，能提供高達7.5A的連續電流，尤其適用于電源開關、負載驅動等場合。其卓越的導通電阻僅為11.5mΩ，極大地提升了系統效率并降低了功耗。選擇DMN2016UTS MOS管，助您實現高性能、節能的電路設計。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN2016UTS_TSSOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N+N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/7.5A 參數4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TSSOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/7.5A 參數4：RDON/11.5mR 標價：歡迎咨詢