FDD5353_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

這款MOS管型號為FDD5353 ，采用先進的TO-252-2L封裝技術(shù)，屬于高性能N溝道MOSFET器件。其擁有高達60V的漏源極電壓額定值和強大的50A連續(xù)漏極電流能力，確保了在大電流環(huán)境下的穩(wěn)定工作。導通電阻僅為11mΩ，有效降低了功率損耗，提升系統(tǒng)能效，特別適用于各類開關(guān)電源、電機驅(qū)動及電池管理系統(tǒng)等高要求應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD5353_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢