IRFR2905ZPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFR2905ZPBF 是一款采用先進封裝技術(shù)TO-252-2L的高性能N溝道MOSFET器件。其核心參數(shù)出色漏源極耐壓高達60V，可持續(xù)承載50A的大電流，確保在高電壓、大電流場景下穩(wěn)定運行。而11mR的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，大大降低了功率損耗，提升了能源利用效率。這款MOS管適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、電源管理等各種領(lǐng)域，是實現(xiàn)高能效電子系統(tǒng)設(shè)計的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFR2905ZPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標價：歡迎咨詢