PHD97NQ03LT_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

PHD97NQ03LT 是一款高性能N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝形式，專為高效能、大電流應用設計。器件支持30V的最大漏源電壓VDSS，具備高達80A的連續漏極電流ID能力，確保在重載條件下仍能穩定工作。其亮點在于導通電阻RD(on)低至5.5mΩ，極大地降低了功率損耗，提高了整體能效。適用于電源轉換、電機驅動等高功率場合，以出色的電氣性能為各類電子設備提供強力支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PHD97NQ03LT_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.0mR 標價：歡迎咨詢