AOD2922_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AOD2922 N溝道MOS管，采用高效封裝TO-252-2L，專為100V高電壓環(huán)境下的電源管理和電路控制設(shè)計。該器件可承載最大漏源電壓VDSS為100V，連續(xù)漏極電流ID高達15A，確保在高壓應(yīng)用中的穩(wěn)定運行。導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，雖非超低電阻，但在中等電流應(yīng)用中仍體現(xiàn)出良好的性價比。適用于開關(guān)電源、電池充放電控制、電機驅(qū)動等多種場景，是您構(gòu)建高效、可靠電路的理想組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AOD2922_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢