NTD6416ANLT4G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/80.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTD6416ANLT4G 型號(hào)N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，具備優(yōu)良的散熱性能與緊湊尺寸，適應(yīng)多樣化電路設(shè)計(jì)需求。該器件提供100V的額定電壓VDSS，支持高達(dá)20A的連續(xù)電流ID，尤其適用于高電壓、大電流的應(yīng)用場景。盡管導(dǎo)通電阻為80mR，但仍能保持較好的能效比，降低系統(tǒng)損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域，出廠前經(jīng)過嚴(yán)格質(zhì)量檢測(cè)，確保產(chǎn)品具備穩(wěn)定可靠的高性能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

NTD6416ANLT4G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/80.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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