IRLR3705ZPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IRLR3705ZPBF 是一款N溝道MOSFET，采用標準TO-252-2L封裝，專為高功率電子設備設計。器件支持高達60V的漏源電壓(VDSS)，并能承載最大80A的連續漏極電流(ID)，展現出卓越的電流承載能力。其亮點在于僅6.5mΩ的低導通電阻(RD(on))，確保在大電流工作時仍能保持高效率和低發熱。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是構建高性能、節能電路的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRLR3705ZPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢