AUIRFR1018E_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AUIRFR1018E 是一款N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、高效率應(yīng)用設(shè)計。該器件提供60V的最大漏源電壓(VDSS)，并能處理高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流(ID)，展示出卓越的電力處理性能。其導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為6.5mΩ，確保在大電流工作狀態(tài)下仍然保持低損耗和高效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域，是構(gòu)建高性能、節(jié)能電路的理想半導(dǎo)體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AUIRFR1018E_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢