IRFR1018EPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IRFR1018EPBF 是一款高效能N溝道MOSFET，封裝采用緊湊而廣泛應用的TO-252-2L樣式，特別適合于空間有限及高密度電路板設計。此器件具有強大的性能參數，包括60V的最大漏源電壓(VDSS)，以及高達80A的連續漏極電流(ID)，在保證高電流處理能力的同時，其優秀的導通電阻僅有6.5mΩ(RD(on))，確保了低功耗與高效率運作。廣泛應用于電源管理、逆變器、開關電源等領域，是您優化系統性能、提升能源利用率的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFR1018EPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢