SQD50N06-09L_GE3_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

SQD50N06-09L_GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，封裝采用緊湊型TO-252-2L，旨在優(yōu)化電路板空間利用。該器件具有強(qiáng)勁的工作電壓60V(VDSS)，可持續(xù)提供高達(dá)80A的漏極電流(ID)，同時(shí)以極低的導(dǎo)通電阻6.5mΩ(RD(on))表現(xiàn)出色，從而有效減少能量損失，提升整體電能轉(zhuǎn)化效率。SQD50N06-09L_GE3 適用于開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)控制等多個(gè)領(lǐng)域，是構(gòu)建高效率、低功耗電子系統(tǒng)的可靠之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話(huà)：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

SQD50N06-09L_GE3_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)