STD26P3LLH6_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

STD26P3LLH6 是一款高質(zhì)量P溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，專為需要高效能和低功耗的應(yīng)用設(shè)計。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載穩(wěn)定的40A漏極電流(ID)，其亮點在于僅18mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保了優(yōu)秀的能源轉(zhuǎn)換效率。此MOS管適用于電源管理、逆變器、電池保護電路等多個領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)效能與節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD26P3LLH6_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢