NTD5867NLT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTD5867NLT4G N溝道MOS管采用經(jīng)濟高效的TO-252-2L封裝，適用于各類電源控制和電機驅(qū)動應用。器件規(guī)格強大，具備60V的額定電壓VDSS，能穩(wěn)定處理高達20A的連續(xù)電流ID。其亮點在于導通電阻RD(on)僅為27mΩ，旨在提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)損耗。這款MOS管憑借其卓越的性能表現(xiàn)，廣泛應用于電源轉(zhuǎn)換器、馬達驅(qū)動、開關(guān)調(diào)節(jié)器等領(lǐng)域，是您構(gòu)建高性能電子設備的得力助手。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTD5867NLT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢