DMP3010LK3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

DMP3010LK3 P溝道MOS管采用經(jīng)典的TO-252-2L封裝，確保良好的散熱性能和兼容性。器件具備30V的額定電壓VDSS，可承載高達(dá)80A的強(qiáng)大漏極電流ID，展現(xiàn)卓越的電力傳輸能力。其核心亮點(diǎn)在于低至6.5mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)，在同類產(chǎn)品中脫穎而出，有效降低系統(tǒng)功耗，大幅提升能效比。DMP3010LK3 MOS管特別適用于高壓大電流應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動等場景，是工程師實現(xiàn)高效、節(jié)能設(shè)計的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMP3010LK3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價：歡迎咨詢