FQD13N10L_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FQD13N10L N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，適用于100V高電壓環(huán)境下的中等電流應(yīng)用。該器件具有100V的最大漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID)，在高電壓系統(tǒng)中展現(xiàn)出穩(wěn)定可靠的性能。其導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，雖非超低阻值，但在滿足中等電流需求的同時(shí)，保證了良好的性價(jià)比。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理等方面，是追求綜合性能與成本控制的理想半導(dǎo)體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

FQD13N10L_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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