IPD30N06S2L-23_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPD30N06S2L-23 是一款高功率N溝道MOSFET，封裝類型為TO-252-2L，專為高密度電源應用設計。該器件提供60V的最大漏源電壓(VDSS)，并能在滿載下處理50A的強大連續電流(ID)，且擁有優秀的導通特性，導通電阻僅為15mR(RD(on))，從而大大減少了功率損耗，提高了系統效率。廣泛應用于開關電源、電池管理系統、電機驅動等對效率要求較高的場合。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD30N06S2L-23_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢