FDD3682_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDD3682 是一款高性能N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，適用于高功率應(yīng)用。該器件具有100V的高耐壓值和高達30A的連續(xù)電流承載能力，尤其適合于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等大電流領(lǐng)域。其導(dǎo)通電阻低至35mΩ，確保在高負荷運行條件下仍保持卓越的能效和散熱性能。選擇FDD3682 MOS管，即選擇了強大穩(wěn)定、高效節(jié)能的半導(dǎo)體解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD3682_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢