IPD30N10S3L34_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IPD30N10S3L34 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、大電流應(yīng)用定制。該器件可在100V的高電壓下工作，提供30A的持續(xù)電流處理能力，特別適合于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等嚴(yán)苛環(huán)境。其出色的35mΩ導(dǎo)通電阻特性大大降低了功率損耗，實現(xiàn)了卓越的系統(tǒng)能效。選擇IPD30N10S3L34 MOS管，即為您的設(shè)計注入澎湃動力與高效節(jié)能的靈魂。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD30N10S3L34_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢