IPD30N03S2L-10_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/7.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPD30N03S2L-10 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、大電流應用設計。該器件具有出眾的電氣參數工作電壓VDSS高達30V，連續電流ID最高可達60A，且擁有極低的導通電阻RD(on)僅為7mR，確保在大電流環境下也能保持高效能和低熱損耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動等場合，是提升系統能效、強化可靠性的不二之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD30N03S2L-10_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/7.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/7.0mR 標價：歡迎咨詢