PSMN3R4-30BLE_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

PSMN3R4-30BLE N溝道MOS管采用先進(jìn)的TO-252-2L封裝，旨在優(yōu)化空間利用并提升散熱性能。本器件額定漏源電壓(VDSS)為30V，最大連續(xù)漏極電流(ID)高達(dá)120A，可輕松應(yīng)對(duì)大電流應(yīng)用場景。其獨(dú)特優(yōu)勢在于極低的導(dǎo)通電阻RD(on)，僅為3mΩ，確保在工作狀態(tài)下減少能耗，提高整體系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED照明等領(lǐng)域，是高效能、低功耗解決方案的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

PSMN3R4-30BLE_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢