AOD508_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AOD508 N溝道MOS管采用高效封裝TO-252-2L，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化和高性能需求量身定制。該器件具有30V的最大漏源耐壓(VDSS)，能夠穩(wěn)定承載高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，凸顯出卓越的電流處理性能。其核心亮點在于僅為2mΩ的超低導通電阻RD(on)，有效減少了能量損失，提升了整體系統(tǒng)能效。廣泛應用于開關電源、DC/DC轉換器、電機驅動等多個領域，是追求高效、節(jié)能方案的不二之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AOD508_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢