IRFR8314PBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFR8314PBF N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，專為高性能電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件能在30V的最大漏源電壓(VDSS)下運(yùn)行，并能處理高達(dá)150A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出強(qiáng)大的電流處理能力。其關(guān)鍵特性在于極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為2mΩ，這將大幅度降低系統(tǒng)內(nèi)部損耗，提升整體效率，成為開關(guān)電源、逆變器、充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRFR8314PBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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