SQD50P03-07_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SQD50P03-07 P溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，專為高效能、低損耗的電路設計。器件提供30V的最大漏源電壓(VDSS)，并可承受高達80A的連續漏極電流(ID)，彰顯其卓越的電流承載能力。其導通電阻RD(on)低至5.5mΩ，大大降低了功率損耗，提高了整體系統效率。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、負載開關等領域，是高質量、高性價比的P溝道MOS管解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SQD50P03-07_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/5.5mR 標價：歡迎咨詢