RSD140P06_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

RSD140P06 是一款高性能P溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為大電流應用設計。器件擁有60V的漏源電壓(VDSS)耐受能力，可持續處理高達20A的漏極電流(ID)。其卓越之處在于導通電阻RD(on)僅為55mR，有效降低功率損耗，提升系統能效。廣泛應用于電源轉換、電池管理系統、逆變器和大功率電機驅動等場景，是高功率、低損耗半導體解決方案的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RSD140P06_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/55.0mR 標價：歡迎咨詢