STD10NF10T4_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

STD10NF10T4 N溝道MOS管，采用標準TO-252-2L封裝，專為中等功率、高電壓應用設計。該器件具備100V的最大漏源電壓(VDSS)，可支持15A的連續漏極電流(ID)，確保在高壓環境下穩定運作。其導通電阻RD(on)為100mR，雖非業內最低，但依然能在適度電流應用中展現良好效能。適用于開關電源轉換、電池管理系統、一般電機驅動等應用場景，是兼具性能與性價比的優選半導體器件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD10NF10T4_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢