SVD2955_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SVD2955 是一款P溝道MOS管，封裝形式為TO-252-2L，專為高效能電子設備提供卓越的功率管理解決方案。其具備60V的最高耐壓值(VDSS)，能在苛刻條件下支持高達10A的持續(xù)電流流通，且導通電阻低至125mR(RD(on))，顯著提升了整體能效和可靠性。這款MOS管憑借其出色的工作性能和緊湊型封裝設計，適用于電源轉換、負載開關以及其他中低壓電路應用場合，是您的理想半導體組件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SVD2955_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標價：歡迎咨詢