SIS413DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/55.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SIS413DN-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為節(jié)省空間及高密度電路設(shè)計。本器件的核心參數(shù)優(yōu)秀額定電壓VDSS高達30V，提供穩(wěn)定的30V電壓下操作環(huán)境；支持高達55A的連續(xù)漏極電流，展現(xiàn)強大的電流處理能力；8mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，確保高效能與低功耗運行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等場景，是現(xiàn)代高效能電子產(chǎn)品的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIS413DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/55.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/55.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢