SISA96DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

SISA96DN-T1-GE3 是一款N溝道MOS管，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為現代電子設備的小型化和高性能需求打造。該器件能在30V的最大漏源電壓(VDSS)下工作，提供50A的連續漏極電流(ID)，展現出卓越的電流處理能力。其導通電阻(RD(on))低至7.5mΩ，有效降低了功率損耗，提升了電路效率，廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理系統等高要求應用場景，是您實現高效節能設計的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SISA96DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢