IRFH3702PBF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFH3702PBF 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，滿足現(xiàn)代化小型化電路設計要求。其擁有30V的最大漏源耐壓(VDSS)，具備強大瞬態(tài)響應能力，可持續(xù)提供高達60A的漏極電流(ID)。尤為突出的是，導通電阻僅6mΩ(RD(on))，顯著降低功率損耗，確保在大電流運行環(huán)境下也能保持高效能表現(xiàn)。本產(chǎn)品廣泛適用于電源轉換、馬達驅動、高頻開關等領域，為高端電子產(chǎn)品提供強勁動力支持。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFH3702PBF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢