SI7114DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI7114DN-T1-E3 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為高功率密度和高效能應(yīng)用設(shè)計。器件具備30V的漏源電壓(VDSS)，在低至6mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))條件下，可承載高達60A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、大功率充電器等場景，憑借其卓越的電流處理能力和能效表現(xiàn)，成為您優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能的重要半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7114DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/6.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢