DMN3009LFVW_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

型號DMN3009LFVW 的N溝道MOS管采用DFN3X3-8L微型封裝，專為高密度、高性能電子設(shè)備設(shè)計。該器件提供30V的額定電壓VDSS，可承載高達100A的連續(xù)電流，確保在大電流操作下仍保持穩(wěn)定性能。其核心優(yōu)勢在于擁有僅4mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效提升系統(tǒng)效率，降低能耗，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等多種應(yīng)用場景，是打造高能效電子系統(tǒng)的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN3009LFVW_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢