CSD17304Q3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

CSD17304Q3 型號MOS管采用前沿DFN3X3-8L封裝工藝，體積小巧且散熱出色。這款N溝道MOSFET具有30V的峰值電壓耐受力，能安全穩(wěn)定地承載高達100A的漏極電流，展現出卓越的電力傳輸性能。其導通電阻僅為4mΩ，顯著增強了電路能效，減小了能量損耗。廣泛適用于大電流開關電源、快速充電模塊、電機驅動系統(tǒng)等高強度應用場景，是您構建高效、低耗能系統(tǒng)的理想半導體組件。

企業(yè)聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CSD17304Q3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢