SI7121DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/25.0A 參數4：RDON/16.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7121DN-T1-GE3 是一款采用緊湊型DFN3X3-8L封裝的高性能P溝道MOSFET，專為高功率密度應用設計。該器件提供30V的額定電壓VDSS，最大連續漏極電流可達25A，體現卓越的電流處理能力。尤為突出的是其低至16mΩ的導通電阻RD(on)，大幅減少功率損耗，提升能源利用效率。廣泛適用于電源轉換器、電池管理系統及大電流電機驅動等場景，SI7121DN-T1-GE3 MOS管是您實現高效、可靠電路設計的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7121DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/25.0A 參數4：RDON/16.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/25.0A 參數4：RDON/16.0mR 標價：歡迎咨詢