SI7619DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI7619DN-T1-GE3 是一款高效的P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，旨在優(yōu)化空間受限的設計。器件具有30V的電壓額定值VDSS，可承載高達25A的連續(xù)漏極電流ID，展示了卓越的電力處理性能。其特色在于擁有低至16mΩ的導通電阻RD(on)，有效降低功率損耗，提高能源效率。廣泛應用在電源轉換、電池管理系統(tǒng)、大型電機驅動等領域，SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能與節(jié)能設計的理想伙伴。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7619DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標價：歡迎咨詢