STL6P3LLH6_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

STL6P3LLH6 是一款高性能P溝道MOSFET，采用小型DFN3X3-8L封裝，專為高集成度和節(jié)能設計而生。該器件具備30V的電壓額定值VDSS，可支持高達25A的連續(xù)漏極電流ID，確保強大穩(wěn)定的電流處理能力。其獨特優(yōu)勢在于16mΩ的超低導通電阻RD(on)，有助于顯著降低系統(tǒng)損耗，提升整體能效。廣泛應用在電源轉換、電機驅動、電池管理系統(tǒng)等領域，STL6P3LLH6 MOS管是您構建高效綠色電子產(chǎn)品的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STL6P3LLH6_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標價：歡迎咨詢