AON3414_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AON3414 是一款采用先進DFN3X3-8L封裝的N溝道MOSFET，具有卓越的空間利用率和散熱性能。在30V的最大漏源電壓(VDSS)下，可實現(xiàn)高達20A的連續(xù)漏極電流(ID)，尤其適用于需要大電流處理能力的場合。其優(yōu)異的15mΩ導(dǎo)通電阻，確保了系統(tǒng)運行的高效低耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)以及其他需要高性能MOSFET的領(lǐng)域。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：連先生
聯(lián)系電話：13823583904
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AON3414_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢