SIS412DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SIS412DN-T1-GE3 MOS管，以緊湊型DFN3X3-8L封裝提供卓越性能。該器件為N溝道設計，擁有30V的穩定工作電壓VDSS及出色的20A電流承載能力，其導通電阻低至15mR，確保了在高功率轉換中的優異效率表現。適用于各類高端電源控制、馬達驅動等領域，是您實現系統優化的理想半導體解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIS412DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢