SI7106DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7106DN-T1-E3 MOS管是一款高性能N溝道半導體器件，采用小型化DFN3X3-8L封裝技術，具有強大的電力處理能力。其特點是20V的VDSS耐壓值，以及驚人的60A持續電流ID，尤其引人注目的是其超低導通電阻僅4mR，有效降低損耗，提升整體效能。這款MOS管非常適合應用于要求嚴苛的電源轉換、大電流開關控制等場景，為您帶來前所未有的能效體驗。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：連先生
聯系電話：13823583904
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7106DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/4.0mR 標價：歡迎咨詢